型 号：TALD-150D
制 造 商：嘉兴科民
存 放 地 点：550栋302
主要功能及特色
该设备专用于原子层沉积（ALD）工艺，可在微电子、光伏等领域的样品表面沉积氧化铝等纳米级高质量薄膜，满足高精度薄膜制备需求。
采用创新的内外双腔体结构，其中可拆卸的内反应腔极大提升了设备维护的便捷性与适用性，便于清洁和更换，适应多种工艺场景。
- 可处理最大6英寸样品，反应温度最高可达500℃，标配多路前驱体源与自动控制系统，实现原子层级薄膜厚度控制、优异的镀膜均匀性以及稳定的工艺重复性。
主要技术指标
1.设备核心结构与腔体
腔室结构：一套热法ALD工艺腔+一套等离子体法PEALD工艺腔
外腔：真空加热腔设计，可对内腔整体加热；外层水冷循环，内侧多层热反射装置，外壁隔热材料，外壁温度≤60℃，带温度限位开关
内腔：可拆卸式内反应腔，支持整体取出、更换、维护；反应腔壁为热壁，同时对源与管路壁加热；压差自压合机构实现自动密封
样品尺寸：内腔支持放置直径6英寸晶圆，向下兼容
- 内腔扩展 标配内腔两套，可选高温、低温、特殊工艺内腔，支持升级
2.温度控制系统
内腔最高反应温度：500℃，温度控制精度 ±1℃，配置温度传感器
源瓶及管路加热：MO源、固态源等源瓶及管路加热温度 RT–200℃，控制精度 ±1℃
等离子体放电系统加热：腔壁最高加热温度 150℃，温度控制精度 ±1℃
- 真空泵前级热阱：最高加热温度 500℃，控制精度 ±1℃，用于吸附/分解未反应前驱体
3.前驱体与气路系统
前驱体源配置：6路加热液态MO源、2路高温微流固态源、2路水源、1路臭氧源、1路非等离子体气态源、2路等离子体气态源
等离子体气源：3路（氩气、氧气、氨气），独立质量流量控制器，控制精度 ≤1%，支持扩展
独立进气口：反应腔体设5个独立进源口，金属源、水源、等离子体气源管路不共用
MO源配置：高温快速ALD阀（响应时间 ≤10ms）、手动阀、不锈钢源瓶（≥50ml），管路及阀门加热RT–200℃
水源配置：快速ALD阀（≤10ms）、手动阀、不锈钢源瓶（≥50ml）
固态源系统：载气增压进源，ALD阀，源瓶/管路/阀门可加热至200℃
臭氧源：臭氧产量 ≥20g/L，浓度 ≥100mg/L
载气系统：5路（4路液态源载气、1路等离子体气态源载气），316LEP不锈钢管路+VCR密封，具备在线清洗功能
- 管路过滤与安全：每路气体源配有颗粒过滤器、气体截止阀，有毒/腐蚀气体管路配有旁路通气
4.真空系统
极限真空与维持：整机极限真空 <5×10⁻⁶ Torr，2小时真空维持度 <1 Torr
真空泵配置：工艺干泵2台（额定抽速100 m³/h），本底分子泵2台
- 真空测量系统：2个工艺薄膜规 + 2个全量程真空规，测量范围 5×10⁻⁷ Torr 至大气压，精度满量程±1%；真空计前设高效过滤网及气动隔膜阀
5.等离子体系统
等离子体发生方式：远程ICP感应耦合等离子体，发生腔室独立于反应腔室
- 射频电源：1000W，频率13.56MHz，功率不稳定度 ≤2W，自动匹配调节
6.控制系统与操作界面
控制系统：双控制系统，配有工控机沉积自动控制系统
操作模式：支持热工艺腔与等离子体工艺腔同时/交替工作
软件功能：可视化操作界面，支持温度、流量、脉冲时间等参数调节；多用户权限分配
安全互锁：3套联动互锁保护：压强与真空泵脉冲互锁、加热互锁、腔体密封盖开启互锁
- 沉积模式：支持连续模式、停流模式
7.冷却与辅助系统
冷水机系统：水箱容量 ≥10L，进水温度低于30℃时回水温度控制在25℃以内
- 尾气处理：配置特气柜与尾气处理系统，处理ALD工艺尾气
8.工艺指标
Al₂O₃ 膜厚非均匀性：热法<±1.2% / 等离子体法<±1.6% ±0.9%
HfO₂ 膜厚非均匀性：热法<±1.5% / 等离子体法<±2.5% ±0.98%
- SiO₂ 膜厚非均匀性：热法<±2.5% / 等离子体法<±3% ±2.58%
主要附件及配置
热ALD反应腔系统
等离子体ALD反应腔系统
前驱体源系统
真空系统
控制系统
辅助系统
远程感应耦合等离子体系统
特气柜和尾气处理系统
- 冷水机系统
用户须知
需经过培训获得操作资格后才能使用，或由已培训的人员代为测试。
